长乐国际娱乐

长乐国际娱乐-长乐国际娱乐官网

当前位置: 主页 > 工艺技术 >

三星更新工夫途径nm LPU工艺

时间:2019-06-12 19:42来源:未知 作者:admin 点击:
长乐国际娱乐足球外围手机版日前,三星在日本举办了三星铸造工厂论坛(SFF)2018年会,更新了技术路线图。简单来说,主要有三点,一是基于EUV技术的7nm制程工艺会在接下来几个季度内大规模量产(初期EUV仅用于选择层),二是导入8nm LPU工艺,三是重申,围绕3nm

  长乐国际娱乐足球外围手机版日前,三星在日本举办了三星铸造工厂论坛(SFF)2018年会,更新了技术路线图。简单来说,主要有三点,一是基于EUV技术的7nm制程工艺会在接下来几个季度内大规模量产(初期EUV仅用于选择层),二是导入8nm LPU工艺,三是重申,围绕3nm节点,将引入闸极全环场效晶体管(Gate-all-aroundFET,GAAFET),来取代FinFET(鳍式场效应晶体管)。

  关于第一点,三星称已经在韩国华城的S3工厂配置了多台ASML Twinscan NXE:3400B EUV光刻机,投资6万亿韩元的新EUV产线年扩大生产规模。

  由于三星7nm LPP补充产能需要等到2020年,此间就是8nm在市场大展拳脚的契机。按照ZDNet的说法,高通也是三星8nm的客户。

  至于第三点,三星将FinFET技术的极限发挥到5nm LPE和4nm LPP,计划2019年风险试产。不过到了3nm时代,芯片越做越小,电流信道宽度不断变窄,难以控制电流方向,三星提出了GAAFET方案,定于2020年早些时候试产。

(责任编辑:admin)
------分隔线----------------------------