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长江存储筹划正在来岁第四序怀抱产64层堆叠的3D NAND闪存芯片

时间:2019-06-09 14:09来源:未知 作者:admin 点击:
CEO杨士宁博士透露,公司计划在明年第四季度量产64层堆叠的3D NAND闪存芯片。 资料显示,今年4月份,长江存储在武汉的工厂开始设备安装,今年晚些时候投产32层3D闪存。杨士宁表示,32层产品非常成熟,已经开始少量接单。 不过,从成本和市场接纳度来看,64层

  CEO杨士宁博士透露,公司计划在明年第四季度量产64层堆叠的3D NAND闪存芯片。

  资料显示,今年4月份,长江存储在武汉的工厂开始设备安装,今年晚些时候投产32层3D闪存。杨士宁表示,32层产品非常成熟,已经开始少量接单。

  不过,从成本和市场接纳度来看,64层的竞争力更强,长江存储也将投入更多的精力在这一代上。关键技术方面,长江将引入全新3D NAND架构Xtacking,即在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路,从而将I/O速度提升到3Gbps。

  要知道,目前世界上最快的3D NAND I/O速度的目标值是1.4Gbps,而大多数NAND供应商仅能供应1.0 Gbps或更低的速度。

  长江存储希望在64层3D闪存量产后,公司的毛利率可以转正,届时月产能预计10万片。

  2019年第一季度世界存储器产品营收为271.24亿美元 下降26.8%

(责任编辑:admin)
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